[ shashava @ 14.09.2003. 16:19 ] @
Uzorci silicija se dopiraju u dva koraka, pri temperaturi od T2=350K.

U prvom koraku svi uzorci dopiraju se donorskim primjesama gustoće Nd=1*10^14 cm^-3.

Zatim se dio uzoraka izdvoji(uzorci A), a preostali(uzorci B) se dodatno dopiraju s Na akceptorskih primjesa.

Odredite Na ako apsolutna vrijednost pomaka Fermijevog nivoa (u odnosu na intrinsični nivo) u uzorcima B iznosi 90% odgovarajućeg pomaka u uzorcima A (sve to na T2=350K). (Eg=1.1eV, ni(T1=300K)=1.45*10^-10 cm^-3)
[ marko37 @ 17.09.2003. 18:04 ] @
Jedno rešenje koje sam dobio je Na=0.42715*Nd, tj. Na=0.42715*10^19 cm^-3. Drugo rešenje bi valjda bilo kada bi koncentracija donora bila veća od koncentracije akceptora.
Pretpostavke koje sam uzeo su da se PP nalazi u oblasti iscrpljenja (koncentracije donora i akceptora, kao i njihova razlika, su red veličine veće od sopstvene, svi donori su jonizovani), Fermijev nivo sopstvenog PP se nalazi na polovini energetskog procepa, a u računu sam uzeo masu mirovanja elektrona umesto generalisane ili efektivne mase. Mrzelo me da se 'akam sa ovim Latexom, znači ništa od formula.
I još samo za kraj da dodam da mrzim fiziku čvrstih tela (solid state physics). :)
BTW za šta će ti ovo?