Razliku između JFET-a i MOSFET-a ti kaže samo ime:
J(Junctions)FET ima između kanala(S-D) i G(gejta)samo jedan P-N prelaz
dok MOS(Metal-Oxid-Semiconductor) između kanala i gejta ima izolator(SiO2).
Sledeći primeri se odnose na N-Kanal FET-ove:

Kod JFET-a je struja najveća kada je Ugs=0 jer je kanal onda najširi i smanjuje se sa
smanjenjem napona Ugs, znači za manju struju napon mora biti negativan.
Pri manjim Uds naponima(do 1V) se JFET ponaša kao naponsko kontrolisani otpornik.
Pri nešto većim Uds naponima(2-3V) se kanal na strani D(Drain) sužava na minimalnu
vrednost i taj fenomen se zove "uštinuće" ili "pinč" efekt.
Pri daljem povećanju napona Uds se ovo suženje kanala širi ka strani Sorsa a struja
kroz kanal raste samo neznatno-> tranzistor ima vrlo veliku izlaznu impedansu
i ponaša se kao naponski kontrolisan izvor konstantne struje.


Kod N-kanal MOSFET-a je oblast između S u D ustvari P-tip
poluprovodnika i normalno ne postoji kanal kada je Ugs napon manji od takozvanog napona praga.
Tek kada (pozitivni) napon dostigne taj prag ispod gejta se sakupljaju
manjinski elektroni jer je gejt pozitivno naelektrisan pa postoji privlačna sila-> dolazi do inverzije
sloja i stvara se N-kanal -> Tranzistor provodi struju.
Šti je Ugs veći, veća je i širina kanala pa samim tim i struja kroz tranzistor.

Jeli sada malo jasnije?

Hvala na opsežnom teoretskom objašnjenju ponašanja samih elemenata.
Nego još me zanima dali po mojim mjerenjima (u gore navedenom mom postu) BF246 JFET je ispravan ili ne??

Po mom mišljenju on je "kaput", probio.
Probaj da mu spojiš S i G(Ugs=0V). Trebalo bi da meriš otpornost od nekoliko stotona oma
do par kilooma u oba pravca (+S/-D, i -S/+D).Vrednosti ne moraju da budu simetrične.
Između +G/-S bi trebao na opsegu za ispitivanje dioda da meriš napon od nekih 0,6 do 0,8V
jer je PN spoj onda spojen u propusnom smeru, i OL u suprotnom smeru kada je PN spoj
polarisan inverzno.