Nesto mi bas i nije jasna ta podela:
-unipolarni
-bipolarni

___ili mozda nism bio na nekim casovima teorije Tranzistora.

-Postoje jasno definisani klasicni Tranzistori,,,,,to je ono NPN,,PNP,,
-Pa FET-ovi,,MOS-FET-ovi,,,,,, sa N-kanalom i sa P-kanalom,,
-Pa IGBT-ovi,,
-Pa Hex-Fetovi,
-Pa neki Smart-FET-ovi koji u sebi imaju 100 cuda zastite (i strujne i naponske),
-Pa UJT-tranzistori,

Ali jos nisam cuo da neki TYP moze da sprovede Glavnu struju (da li C-E,,,ili D-S,,ili bili kako drugacije):

--U oba smera ?!,,tj. da nije bitan polaritet-??

Bar sam ja tako shvatio pitanje.Tj. kao neki TR mogu samo 'vako,,,,,,a neki i 'vako i obrnuto-?,,,

Optimus-e,,U kojoj skoli je to na ispitu?

Nesto tu nije dobro napisano i jednoznacno definisano,,mozda gresim,ili?

Zemljanine, ti si izgleda "pobrkao lončiće". Pitaš za unipolarne tranzistore a nastavljaš sa razglabanjem o (MOS)FET-ovima

Roberte dajem ti za pravo da je optimus nesrećno izabrao termin "unipolarni".
Iz onog što pita vidi se da misli na Junction-FET ->JFET.
Mislim da sam nekome već odgovarao na to pitanje i ako se pogleda moj profil možda se
taj odgovor ponovo i nađe.
Zato bi sada bio kratak:
- provodnost potpuno otvorenog kanala Go
je onda kada je Gate spojen sa Source, i onda je napon Ugs=0V.

- napon dodira (napon pri kome se skroz zatvori kanal)
Kanal se nikada ne zatvara skroz. Misliš verovatno na napon "uštinuća-Pinch"
kada je kanal sasvim mali.

- kontaktni napon
??

- Uds (napon izmedju draina i sourca)
??? Jel to pitanje?

Imam dva podrucja rada: triodno i zasicenje,
Triodno je ono područje rada pri malim Uds naponima kada još ne dolazi do Pinch efekta.
Kada se taj napon prekorači onda se javlja to "ušinuće" tamo gde je ralika napona najveća, kod Drain-a.
Ako se ta razlika napona i dalje povećava onda se kanal ne sužava dalje nego se taj predeo u kome
je kanal jako uzak samo pomera dužinom kanala ka drugoj strani ->Source-u. To je oblast zasićenja.

U triodnoj oblasti se tranzistor ponaša kao naponski regulisan otpornik, pa se tako i koristi ,za na primer
naponski regulisanu atenuaciju.
Uostalom ako pogledaš neki Dtasheet ili Appnote imaš dosta o tome, sa sve slikama i graficima.

Za Roberta63: Naučio ja to sve od Darka, našeg nastavnika Elektronike, taj je čovek stvarno imao kapacitet.
Eto prošlo je već 30godina od toga, al ja se još ipak sećam.
Kako bih sada voleo zapamtiti šta sam jeo pre dva dana...eeeh.

Pozdrav svima.

@ Eh-moj Branko !

-Sve Si "ucrvenio" kao da ce kraj sveta-,,,,2012-e,,25.Decembra,,(INFO---Inke)

poz

_{[Ovu poruku je menjao robert63 dana 28.08.2009. u 03:49 GMT+1]}

Hvala na pomoci.

Otici cu Branko do Vaseg profila i pogledat cu slicne teme.
A jos se niko nije dotakao ovog problema sa slike? Interesuje me sta je sa naponom izmedju baze i kolektora, da li je baza na vecem potencijalu ili je pak kolektor?(Ako sam ja stavio "raspodjelu" napona kao na slici)

Unaprijed hvala

Ucb=Uce-Ube

Po tvojoj slici se radi o NPN tranzistoru, tako je stvarno i napravljen od tri (planarna) sloja poluprovodnika: N-P-N.
Prvi NP prelaz je onaj između E i B i on je polarisan u propusnom smeru.
Drugi PN prelaz(između B i C) treba da je polarisan inverzno, što znači da napon na kolektoru mora biti veći nego na bazi.
Jedino kada tranzistor radi kao prekidač može se desiti da napon na kolektoru bude nešto manji nego onaj na bazi,
tada se tranzistor nalazi u zasićenju i gubi svoje pojačavačke osobine.

Slika vredi 1000 reci, a tek oko 25 fps... :)


Tranzistor 1:
http://www.youtube.com/watch?v=hOT72IdQBbw&feature=channel

Tranzistor 2:
http://www.youtube.com/watch?v=PSdHf6yozyc&feature=channel

FET :
http://www.youtube.com/watch?v=4m49vM0Ryt8&feature=channel